【現(xiàn)代實(shí)驗力學(xué)課件】3.6非化學(xué)計量化合物

上傳人:工*** 文檔編號:20152543 上傳時間:2021-02-22 格式:PPT 頁數(shù):21 大?。?32.50KB
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1、2.6 非化學(xué)計量化合物 實(shí)際的化合物中 , 有一些化合物不符合定比定律 , 負(fù)離 子與正離子的比例并不是一個簡單的固定的比例關(guān)系 , 這些 化合物稱為非化學(xué)計量化合物 。 非化學(xué)計量化合物的特點(diǎn) : 1) 非化學(xué)計量化合物產(chǎn)生及缺陷濃度與氣氛性質(zhì) 、 壓力有 關(guān); 2) 可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體; 3) 缺陷濃度與溫度有關(guān) , 這點(diǎn)可以從平衡常數(shù)看出; 4)非化學(xué)計量化合物都是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體材料分為兩大類 :一是 摻雜半導(dǎo)體 ,如 Si、 Ge中 摻雜 B、 P, Si中摻 P為 n型半導(dǎo)體;二是 非化學(xué)計量化 合物半導(dǎo)體 ,又分為金屬離子過剩( n型)(包括負(fù)離 子缺位和

2、間隙正離子)和負(fù)離子過剩( p型)(正離子 缺位和間隙負(fù)離子) 一、由于負(fù)離子缺位,使金屬離子過剩 Ti02、 ZrO2會產(chǎn)生這種缺陷,分子式可寫 為 TiO2-x, ZrO2-x,產(chǎn)生原因是環(huán)境中缺氧, 晶格中的氧逸出到大氣中,使晶體中出現(xiàn)了 氧空位。 缺陷反應(yīng)方程式應(yīng)如下: 2OTiOTi O2 1V22T iO2T i e 2O O O 2 1V2eO 2OTiOTi O213 O oV2 T i 4O2 T i OOTi22 2OV2T i O21-2T i O 又 TiTi+e= TiTi 等價于 根據(jù)質(zhì)量作用定律,平衡時, e=2 : 1) TiO2的非化學(xué)計量對氧壓力敏感,在還原

3、氣氛中才能 形成 TiO2-x。燒結(jié)時,氧分壓不足會導(dǎo)致 升高,得到灰 黑色的 TiO2-x,而不是金黃色的 TiO2。 2) 電導(dǎo)率隨氧分壓升高而降低 。 3)若 PO2不變,則 22/1. 2 o oo O ePVK 6 1 2 OO PV OV OV 6/1 2 3/1 3/1 4 2 OP Ke e x p RTGKe 6 1 2 OPe 電導(dǎo)率隨溫度的升高而呈指數(shù) 規(guī)律增加,反映了缺陷濃度與溫 度的關(guān)系。 圖 2.22 TiO2-x結(jié)構(gòu)缺陷示意圖( I) 為什么 TiO2-x是一種 n型半導(dǎo)體? TiO2-x結(jié)構(gòu)缺陷 在氧空位上捕獲 兩個電子,成為 一種色心。色心 上的電子能吸收 一

4、定波長的光, 使氧化鈦從黃色 變成藍(lán)色直至灰 黑色。 色心、色心的產(chǎn)生及恢復(fù) “色心”是由于電子補(bǔ)償而引起的一種缺陷。 某些晶體,如果有 x射線, 射線,中子或電子輻照,往 往會產(chǎn)生顏色。由于輻照破壞晶格,產(chǎn)生了各種類型的點(diǎn) 缺陷。為在缺陷區(qū)域保持電中性,過剩的電子或過剩正電 荷 (電子空穴 )就處在缺陷的位置上。在點(diǎn)缺陷上的電荷,具 有一系列分離的允許能級。這些允許能級相當(dāng)于在可見光 譜區(qū)域的光子能級,能吸收一定波長的光,使材料呈現(xiàn)某 種顏色。 把這種經(jīng)過輻照而變色的晶體加熱,能使缺陷擴(kuò)散掉, 使輻照破壞得到修復(fù),晶體失去顏色。 現(xiàn)象: 白色的 在真空中煅燒,變成黑色,再退火,又變成白 色。

5、 原因: 晶體中存在缺陷,陰離子空位能捕獲自由電子,陽離子空位能 捕 獲電子空穴,被捕獲的電子或空穴處在某一激發(fā)態(tài)能級上,易受激而發(fā)出 一定頻率的光,從而宏觀上顯示特定的顏色。 色心: 這種捕獲了電子的陰離子空位和捕獲了空穴的陽離子空位叫色中 心。 中易形成氧空位,捕獲自由電子。真空煅燒,色心形成,顯出 黑色;退火時色心消失,又恢復(fù)白色。 32OY 23YO 舉例 1)帶一個正電荷的陰離子空位 中心: 2)捕獲一個電子的陰離子空位 F色心: 3)捕獲兩個電子的陰離子空位 F色心: 4)捕獲一個空穴的陽離子空位 V1中心: 5)捕獲兩個空穴的陽離子空位 V2中心: XV xX eV )( )2(

6、 eV X xM hV )( )2( hV M 分類 二、由于間隙正離子,使金屬離子過剩 Zn1+xO和 Cdl+xO屬于這種類型。過剩的金 屬離子進(jìn)入間隙位置,帶正電,為了保持電中 性,等價的電子被束縛在間隙位置金屬離子的 周圍,這也是一種色心。例如 ZnO在鋅蒸汽中 加熱,顏色會逐漸加深,就是形成這種缺陷的 緣故。 圖 2.23 由于間隙正離子,使金屬離子過剩型結(jié)構(gòu)( II) e 缺陷反應(yīng)可以表示如下: 或 按質(zhì)量作用定律 間隙鋅離子的濃度與鋅蒸汽壓的關(guān)系為(此為一種模型) )(212 2. gOeZnZ nO i eZngZn i 2)( . Zn i P eZn K 2. 3/1. Z

7、ni PZn 6 1 2 OPe Z nOOgZn 221)( 2/1. Zni PZn 如果 Zn離子化程度不足,可以有 (此為另一種模型) 上述反應(yīng)進(jìn)行的同時,進(jìn)行氧化反應(yīng): eZngZn i .)( 4 1 2 OPe 圖 2.24 在 650 下, ZnO電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系 0.6 1.0 2.6 3.0 1.8 1.4 -2.5 -2.7 2.2 -2.1 log -2.3 Log PO2 (mmHg) 實(shí)測 ZnO電導(dǎo)率與氧分壓的關(guān)系支持了 單電荷間隙的模型,即后一種是正確的。 2 1 2 OZn Pp 三、由于存在間隙負(fù)離子,使負(fù)離子過剩 具有這種缺陷的結(jié)構(gòu)如圖 2 25所示。

8、目 前只發(fā)現(xiàn) UO2+x,可以看作 U2O8在 UO2中的固 溶體,具有這樣的缺陷。當(dāng)在晶格中存在間 隙負(fù)離子時,為了保持電中牲,結(jié)構(gòu)中引入 電子空穴,相應(yīng)的正離子升價,電子空穴在 電場下會運(yùn)動。因此,這種材料是 P型半導(dǎo)體。 圖 2.25由于存在間隙負(fù)離子,使負(fù)離子過剩型的結(jié)構(gòu)( III) h h 對于 UO2+x中的缺焰反應(yīng)可以表示為: 等價于: 根據(jù)質(zhì)量作用定律 又 h =2Oi 由此可得: Oi PO21/6。 362 26283 UOOU UOOUOU 223 iOUUO OOUUO 2 2 1 2 iOhO 2/1 2 O i P hOK 隨著氧壓力的增大,間隙氧的濃度 增大,這種

9、類型的缺陷化合物是 P 型半導(dǎo)體。 四、由于正離子空位的存在,引起負(fù)離子過剩 Cu2O、 FeO屬于這種類型的缺陷 。 以 FeO為例 缺陷的生成反應(yīng): 等價于: 從中可見,鐵離子空位本身帶負(fù)電,為了保持電中性; 兩個電子空穴被吸引到這空位的周圍,形成一種 V一色心。 3232 FeOFeF e O VOFeOFe 2 322)(2 32 FeOFe F e O Fe VOhFegOFe 2 2)(2 1 FeVhOogO 根據(jù)質(zhì)量作用定律 OO 1 h =2VFe 由此可得: h PO21/6 隨著氧壓力的增大,電子空穴濃度增大,電 導(dǎo)率也相應(yīng)增大。 2/1 2 2 O FeO P VhO

10、K 圖 2.26由于正離子空位的存在,引起負(fù)離子過剩型結(jié)構(gòu)缺陷( IV) h 小結(jié):四類非化學(xué)計量化合物之代表物 型(負(fù)離子缺位型): 型(間隙正離子型): 型(間隙負(fù)離子型): 型(正離子缺位型): 注 : 對某種化合物來說,分類并不是固定的; 上述 非化學(xué)計量化合物的電導(dǎo)率都與氧分壓的次方成比例,故可以做 圖 ,從斜率判斷該化合物的導(dǎo)電機(jī)制。 x1x1x1x2x2 K B r,N a C l,K C l,T iO,Z r O OCd,OZn x1x1 x2UO SCu,SPb,SFe,IK,BrK ,OTi,OCo,ONi,OFe,OCu x1x1x1x1x1 2x1x1x1x1x2 ln

11、 2OPln 小結(jié): 非化學(xué)計量缺陷的濃度與氣氛的性質(zhì)及大小有關(guān),這 是它和別的缺陷的最大不同之處。此外,這種缺陷的濃度也 與溫度有關(guān)。這從平衡常數(shù) K與溫度的關(guān)系中反映出來。以 非化學(xué)計量的觀點(diǎn)來看問題,世界上所有的化合物,都是非 化學(xué)汁量的,只是非比學(xué)汁量的程度不同而已, 典型的非化學(xué)計量的二元化合物 類型 半導(dǎo)體 化合物 類型 半導(dǎo)體 化合物 I II III n n p K C l , N aC l , K B r , Ti O 2 , C eO 2 , P b S Zn O , C d O UO 2 IV P C u 2 O , F eO , N i O , T h O 2 , K B r , KI , P b S , S n S , C u I , F eS , C r S

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