模擬電路第4章場效應管放大電路

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1、1 第四章 場效應管放大電路BJT的缺點:輸入電阻較低, 溫度特性差。場效應管(FET):利用電場效應控制其電流的半導體器件。優(yōu)點:輸入電阻非常高(高達1071015歐姆),噪聲低,熱穩(wěn)定性好, 抗輻射能力強,工藝簡單,便于集成。根據(jù)結構不同分為:結型場效應管(JFET); 絕緣柵型場效應管(MOSFET)根據(jù)溝道性質分為:N溝道; P溝道根據(jù)偏壓為零時溝道能否導電分為:耗盡型,增強型場效應管工作時,只有一種極性的載流子參與導電,所以場效應管又稱為單極型晶體管。 2 4.1 結型場效應管4.1.1 JFET的結構和工作原理 1. 結構: Ndg s高攙雜的P型區(qū).N溝道JEFT的示意圖N型導電

2、溝道符號g ds對于N溝道JEFT工作于放大狀態(tài),v GS0g柵極,s源極,d漏極 3 Pdg s高攙雜的N型區(qū).P型導電溝道P溝道JEFT的示意圖對于P溝道JEFT工作于放大狀態(tài), vGS 0. vDS 0g ds符號 4 2. 工作原理(1) vGS對iD的控制作用 v GS=0 VpvGSVP且不變v DS=0,耗盡層均勻vGSVp vGDVp :溝道呈電阻性,iD隨vDS升高幾乎成正比例的增加。vDS不為0時,耗盡層變成鍥型。vDS增加,鍥型的斜率加大。Ndg s Ndg s耗盡層 iD 7 vGD=vGS-vDSvDS ,vGD當 vGD=VP時, 靠近D端兩邊的耗盡層相接觸預夾斷。

3、iD達到了最大值 IDSS。 此時:vDS=vGS-VP vDS再加大,vGD vGS-VP)耗盡層兩邊相接觸的長度增加,iD基本上不隨vDS的增加而上升,漏極電流趨于飽和飽和區(qū),恒流區(qū)。 Ndg s Ng ds預夾斷夾斷長度增加 8 4-1-2 N溝道,JFET的特性曲線(1)輸出特性 iD=f(vDS)|vGS=常數(shù)在該區(qū)FET 可以看成一個壓控電阻。特點: vGS越負,耗盡層越寬,漏源間的電阻越大,輸出曲線越傾斜。 i D與 vDS 幾乎成線性關系。1區(qū): 可變電阻區(qū) 0vGSVP , 0vGDVp 9 2區(qū) :飽和區(qū)(恒流區(qū),線性放大區(qū) ) 0 vGS Vp, vGDVp特點:iD 隨

4、 vGS下降而減少,iD受 vGS 的控制。vDS 增加時,iD基本保持不變,成恒流特性。在該區(qū)域,場效應管等效成一個受v GS控制的恒流源。場效應管作放大器時工作在該區(qū)域。 10 4區(qū):擊穿區(qū) vDS太大,致使柵漏PN結雪崩擊穿,F(xiàn)ET處于擊穿狀態(tài).。場效應管一般不能工作在該區(qū)域內。3區(qū):截止區(qū)vGSVP ,vGDVP i D=0場效應管截止 11 (2) 轉移特性曲線 iD= f (vGS)|vDS= 常數(shù)表征柵源電壓vGS對漏極電流的控制作用,場效應管是電壓控制器件。在飽和區(qū)內,F(xiàn)ET可看作壓控電流源。轉移特性方程:i D=IDSS(1-vGS/VP)2 VP IDSSvGS - 0.8

5、 0.4 vGS 12 (3)主要參數(shù)夾斷電壓:VP當導電溝道剛好完全被關閉時,柵源所對應的電壓 vGS 稱為夾斷電壓。夾斷電壓與半導體的攙雜濃度有關。飽和漏電流:IDSS場效應管處于飽和區(qū),且 vGS=0 時的漏極電流,對于結型場效應管,為最大工作電流。低頻互導:gm g m =diD/dvGS|vDS=常數(shù)反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力,是轉移特性曲線上,靜態(tài)工作點處的斜率。 13輸出電阻: rd輸出電阻反映了vDS對 iD的影響,是輸出特性上,靜態(tài)工作點處切線斜率的倒數(shù)。在飽和區(qū)內,iD隨vDS改變很小,因此 rd 數(shù)值很大。最大漏源電壓:V(BR)DS最大耗散功率: PDM GS

6、PGSDSSGSDm dv VvdIdvdig 2)1( )1(2 PGSPDSSm VvVIg 14 4.3 金屬-氧化物-半導體場效應管 4.3.1 N溝道增強型MOSFET金屬柵極、SiO2絕緣層、半導體,構成平板電容器。MOSFET 利用柵源電壓的大小,來改變襯底 b表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。N溝道增強型MOS管示意圖N溝道增強型 MOS管符號 s g d襯底b P N+N+鋁SiO2MOS場效應管的類型:增強型:包括N溝道和P溝道耗盡型:包括N溝道和P溝道dsg b P溝道增強型 MOS管符號dsg b 15 1、溝道形成原理 vDS=0時,vGS 的作用在SiO2

7、絕緣層中產(chǎn)生垂直向下的電場,該電場排斥P區(qū)中的多子空穴,而將少子電子吸向襯底表面。vGS不夠大時,吸向襯底表面的電子將與空穴復合而消失,襯底表面留下了負離子的空間電荷區(qū)耗盡層,并與兩個PN結的耗盡層相連,此時源區(qū)和漏區(qū)隔斷。無導電溝道 i D=0 vGS =0時,iD=00vGSVT剛形成反型層所需的 vGS 的值開啟電壓VT 。v GSVT,溝道形成, vDS0時,將形成電流iD。vGS ,溝道加寬,溝道電阻, iD 。 g P ds N+ N+N溝道當外加正 vDS 時,源區(qū)的多子(電子)將沿反型層漂移到漏區(qū)形成漏極電流iD。 17 vGSVT且不變 , vDS對溝道的影響導電溝道形成后,

8、在vDS的作用下,形成漏極電流iD ,沿溝道ds,電位逐漸下降, sio2中電場沿溝道ds逐漸加大,導電溝道的寬度也沿溝道逐漸加大,靠近漏極端最窄。v GS VT , 且 vGD VT (vDS vGS-VT ) 溝道暢通,場效應管等效為小電阻(可變電阻區(qū))。 PN+ N+ g dsvDS使溝道不再均勻 18vDS再, 使 vGDvGS-VT)夾斷點向左移動,溝道中形成高阻區(qū),電壓的增加全部降在高阻區(qū),iD基本不變恒流區(qū)。 vDS , vGD , 溝道斜率,靠近漏極端更窄。當vGD=VT 時 (vDS= vGS-VT)靠近漏極端的反型層剛好消失預夾斷。預夾斷g d PN+ N+s g ds P

9、N+ N+ 19 3 、特性曲線1區(qū):可變電阻區(qū): v GSVT vGDVT 溝道呈電阻性,iD隨vDS的增大而線性增大。電阻值隨vGS增加而減小。2區(qū):恒流區(qū)(線性放大區(qū))vGSVT vGDVT iD=IDO(vGS/VT)-12IDO是vGS=2VT時,iD的值。iD 受 vGS 的控制。 4區(qū):擊穿區(qū)3區(qū)截止區(qū) vGSVTvGDVTP T1截止vGSN=VDDVTN T2導通vo=0vi=0vGSP= -VDD VTP T1導通v GSN=00 , iD為電子電流, iDS0(電流實際方向流入漏極)P溝道: vDS0 , iD為空穴電流, iDS0 (電流實際方向流出漏極)襯底的極性:必

10、須保證PN結反偏。 N溝道:P型襯底須接在電路中的最低電位上。P溝道:N型襯底須接在電路中的最高電位上。增強型MOS管:vGS單極性,總與vDS一致(N溝道正,P溝道負)。 vGS=0時 iDS=0。耗盡型MOS管: vGS可正可負。J型場效應管: vGS單極性,總與vDS相反(N溝道負,,P溝道正)。 vGS=0時iDS 0(絕對值達最大)轉移特性:N溝道vGSiDS vGSiDSP溝道 23 4.4 場效應管放大電路4.4.1 FET的直流偏置電路及靜態(tài)分析1 零偏壓電路2 自偏壓電路VGS= - IDRSV GS=0 Rd VDDsgRG db直流偏置電路Rd VDDsgRG dbRS適

11、應于耗盡型MOS場效應管適應于結型或耗盡型MOS管 24 3 分壓式自偏壓電路VGS可正可負,適應于任何一種類型. 靜態(tài)工作點的確定 根據(jù)外部電路列出線性方程 列出場效應管的轉移特性方程 Rd VDDsgRg1 dbRSRg2 Rg3SDDDgg gSGGS RIVRR RVVV 21 2增強型MOS管J型、耗盡型MOS管 的值時是DTGSDO TGSDOD iVVI VVII 2 )1( 2 2)1( PGSDSSD VVII 25 例. ,5.0,1 ,18,2,30 ,10,47,2 321點確定Q mAIVV VVKRKR MRKRMR DSSP DDD ggg DSDDDgg gGS

12、 IRIVRR RV 24.021 2 22 )1(5.0)1( GSPGSDSSD VVVII mAImAI DD 31.0,59.1 Rg3 sg RRd VDDRg1 dRg2J型管i D不能大于IDSS1.59m A的結果舍去ID=0.31m AVRRIVV VV dDDDDSGS 1.8)(22.0 26 4.4.2 FET的小信號模型分析法FET的低頻小信號簡化模型g dsgsV gsmVg dsVFET低頻小信號模型r drgsg dsgsV gsmVg dsVcgs cgd cdsFET高頻小信號模型.rgs g dsgsV gsmVg dsVrd 27 應用小信號模型分析FE

13、T的放大電路 共源放大: gs dgsmioV V RVgVVA 如果接有外負載RL)/( LdmV RRgA iV Rd VDDsgRg1 dbRRg2 Rg3 oVR g=Rg1/Rg2RgRg3g dsiV gsmVg oVRd RLRL213 / gggi RRRR dmV RgA do RR 28 源極電阻上無并聯(lián)電容:共源電路的特點:電壓增益大,輸出電壓和輸入電壓反相.輸入電阻高,輸出電阻由漏極電阻R d決定.RVgV RVgVVA gsmgs dgsmioV gsmVg sRg dRg3Rg, RdiV oV do gggi RR RRRR 213 / Rg=Rg1/Rg2Rg RgA m dmV 1 29 共漏極放大器 (源極跟隨器) Lgsmgs LgsmioV RVgV RVgVVA g s dRS Rg3Rg RLgsmVg iVsV oV 213 / gggi RRRR oV VDDsgRg1 dRRg2 Rg3iV RL Rg=Rg1/Rg2,RL=R/RL 11 Lm LmV RgRgA 30 輸出電阻特點:1電壓增益小于1,但接近于1.且輸入輸出同相.2輸入電阻高,而輸出電阻較低.)1( )( RgV RVVg RVVgI mT TTm TgsmT sg dRS Rg3Rg RgsmVg TVTIRgIVR mTTo /1

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