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1、
微電子器件工藝課程設(shè)計
1
2020 年 4 月 19 日
課
2、 程 設(shè) 計
課程名稱 微電子器件工藝課程設(shè)計
題目名稱 PNP 雙極型晶體管的設(shè)計
學(xué)生學(xué)院 ___ 材料與能源學(xué)院 ___ _
專業(yè)班級 08 微電子學(xué) 1 班
學(xué) 號
學(xué)生姓名 ____ 張又文 __ _
指導(dǎo)教師 魏愛香、何玉定 ___
年 7 月 6 日
文檔僅供參考
廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書
題目名稱
3、
pnp 雙極型晶體管的設(shè)計
學(xué)生學(xué)院
材料與能源學(xué)院
專業(yè)班級
微電子學(xué)專業(yè)
08 級 1 班
姓 名
張又文
學(xué) 號
一、課程設(shè)計的內(nèi)容
設(shè) 計 一 個 均 勻 摻 雜 的 pnp 型 雙 極 晶 體 管 , 使 T=300K
時 , β=120。 VCEO=15V,VCBO=80V. 晶體管工作于小注入條件下 , 最大集電極電流為 I C=5mA。設(shè)計時應(yīng)盡量減小基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)的影
響。
二
4、、課程設(shè)計的要求與數(shù)據(jù)
1．了解晶體管設(shè)計的一般步驟和設(shè)計原則
2．根據(jù)設(shè)計指標(biāo)設(shè)計材料參數(shù) , 包括發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
摻雜濃度 NE, N B, 和 NC, 根據(jù)各區(qū)的摻雜濃度確定少子的擴散系數(shù) ,
遷移率 , 擴散長度和壽命等。
3．根據(jù)主要參數(shù)的設(shè)計指標(biāo)確定器件的縱向結(jié)構(gòu)參數(shù) , 包括
集電區(qū)厚度 Wc, 基本寬度 Wb, 發(fā)射區(qū)寬度 We 和擴散結(jié)深 Xjc , 發(fā)射結(jié)
結(jié)深 Xje 等。
4．根據(jù)擴散結(jié)深 Xjc , 發(fā)射結(jié)結(jié)深 Xje 等確定基區(qū)和發(fā)射區(qū)預(yù)
擴散和再擴散的擴散溫度和
5、擴散時間 ; 由擴散時間確定氧化層的氧
3
2020 年 4 月 19 日
文檔僅供參考
化溫度、氧化厚度和氧化時間。
5 ．根據(jù)設(shè)計指標(biāo)確定器件的圖形結(jié)構(gòu) , 設(shè)計器件的圖形尺寸 ,
繪制出基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬接觸孔的光刻版圖。
6. 根據(jù)現(xiàn)有工藝條件 , 制定詳細(xì)的工藝實施方案。
7．撰寫設(shè)計報告
三、課程設(shè)計應(yīng)完成的工作
1. 材料參數(shù)設(shè)計
2. 晶體管縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計
3. 晶體管的橫向結(jié)構(gòu)設(shè)計 ( 設(shè)計光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的掩膜版圖形 )
4 ．工藝參
6、數(shù)設(shè)計和工藝操作步驟
5. 總結(jié)工藝流程和工藝參數(shù)
6. 寫設(shè)計報告
四、課程設(shè)計進(jìn)程安排
序
地點
起止日期
設(shè)計各階段內(nèi)容
號
1
教師布置設(shè)計任務(wù) , 講解設(shè)計要求和方法
教 1-310
.6.27
學(xué)生熟悉設(shè)計任務(wù) , 進(jìn)行資料查閱和整體
圖書館
2
設(shè)計方案的制定
工三 311
．.6.28
設(shè)計晶體管的各區(qū)材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)
圖書館
3
計
工三 311
.6.29
教師集中輔導(dǎo) , 分析材料參數(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計
4.
中
7、存在的主要問題
教 1-302
.6.30
實驗室
2100.7.1-
5
晶體管工藝參數(shù)設(shè)計 ,
教 1-302
.7.2
6
繪制光刻基區(qū)、發(fā)射區(qū)和金屬化的版圖
實驗室
.7.3
4
2020 年 4 月 19
日
文檔僅供參考
教 1-302
.7.4
教師集中輔導(dǎo) , 分析工藝設(shè)計中存在的主
實驗室
8
要問題
教 1- 301
.7.5
實驗室
9
總結(jié)設(shè)計結(jié)果 , 寫設(shè)計報告
教 1-301
.7.6
8、
圖書館 ,
10
寫課程設(shè)計報告
宿室
.7.7
11
教師組織驗收 , 提問答辯
實驗室
.7.8
五、應(yīng)收集的資料及主要參考文獻(xiàn)
1．<半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) >Robert F. Pierret 著 , 黃如譯 , 電子工業(yè)
出版社 , .
2 ．<半導(dǎo)體物理與器件
> 趙毅強等譯
, 電子工業(yè)出版社
, .
3 ．<硅集成電路工藝基礎(chǔ)
>,
關(guān)旭東編著
, 北京大學(xué)出版社
, .
9、
發(fā)出任務(wù)書日期
計劃完成日期 :
主管院長簽章 :
:
7
年
月
6 月 27 日 指導(dǎo)教師簽名
8 日 基層教學(xué)單位責(zé)任人簽章
:
:
目錄
廣東工業(yè)大學(xué)課程設(shè)計任務(wù)書 3
一、設(shè)計任務(wù)及目標(biāo) 7
二、 晶體管的主要設(shè)計步驟和原則 8
2.1. 晶體管設(shè)計一般步驟 8
2.2 ．晶體管設(shè)計的基本原則 9
5
2020 年 4 月 19 日
微電子器件工藝課程設(shè)計
