半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù).ppt
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1 2半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù) 一 二極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào) 二 二極管的伏安特性 三 二極管的主要參數(shù) 四 二極管電路的分析方法 第一章半導(dǎo)體二極管 一 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu) 構(gòu)成 PN結(jié) 引線 管殼 二極管 符號(hào) VD 分類 按材料分 硅二極管 鍺二極管 按結(jié)構(gòu)分 點(diǎn)接觸型 面接觸型 平面型 第一章半導(dǎo)體二極管 二 二極管的伏安特性 正向特性 Uth 死區(qū)電壓 iV 0 Uth 0 5V 0 1V 硅管 鍺管 U Uth iV急劇上升 0 U Uth Uth 0 6 0 8 V 硅管0 7V 0 1 0 3 V 鍺管0 2V 反向特性 IR UBR 反向擊穿 UBR U 0 iV IR 0 1 A 硅 幾十 A 鍺 U UBR 反向電流急劇增大 反向擊穿 第一章半導(dǎo)體二極管 反向擊穿類型 電擊穿 熱擊穿 特別注意 溫度對(duì)二極管的特性有顯著影響 當(dāng)溫度升高時(shí) 正向特性曲線向左移 反向特性曲線向下移 變化規(guī)律是 在室溫附近 溫度每升高1 正向壓降約減小2 2 5mV 溫度每升高10 反向電流約增大一倍 PN結(jié)未損壞 斷電即恢復(fù) PN結(jié)燒毀 第一章半導(dǎo)體二極管 溫度對(duì)二極管特性的影響 T升高時(shí) UV th 以 2 2 5 mV C下降 第一章半導(dǎo)體二極管 硅管的伏安特性 鍺管的伏安特性 第一章半導(dǎo)體二極管 三 二極管的主要參數(shù) 1 IF 最大整流電流 最大正向平均電流 2 URM 最高反向工作電壓 為UBR 2 3 IR 反向飽和電流 越小單向?qū)щ娦栽胶?4 fM 最高工作頻率 超過時(shí)單向?qū)щ娦宰儾?第一章半導(dǎo)體二極管 影響工作頻率的原因 PN結(jié)的電容效應(yīng) 結(jié)論 1 低頻時(shí) 因結(jié)電容很小 對(duì)PN結(jié)影響很小 高頻時(shí) 因容抗減小 使結(jié)電容分流 導(dǎo)致單向?qū)щ娦宰儾?2 結(jié)面積小時(shí)結(jié)電容小 工作頻率高 第一章半導(dǎo)體二極管 四 二極管電路的分析方法 1 理想模型 特性 符號(hào)及等效模型 2 恒壓降模型 Uth uv Uth 0 7V Si 0 2V Ge 3 二極管的折線近似模型 Uth 斜率1 rD rv Uth 第一章半導(dǎo)體二極管 4 小信號(hào)模型 如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作 例如靜態(tài)工作點(diǎn)Q 此時(shí)有 如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作 例如靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近工作 則可把伏安特性看成一條直線 其斜率的倒數(shù)就是所求的小信號(hào)模型的微變電阻 等效電路模型 伏安特性 第一章半導(dǎo)體二極管- 1.請(qǐng)仔細(xì)閱讀文檔,確保文檔完整性,對(duì)于不預(yù)覽、不比對(duì)內(nèi)容而直接下載帶來的問題本站不予受理。
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